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oxide isolation trench

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  • oxide isolation trench — oksidinis izoliuojamasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. oxide isolation trench vok. Oxidisolationsgraben, m rus. оксидная изолирующая канавка, f pranc. rainure isolante remplie par oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Shallow trench isolation — (STI), also known as Box Isolation Technique , is an integrated circuit feature which prevents electrical current leakage between adjacent semiconductor device components. STI is generally used on CMOS process technology nodes of 250 nanometers… …   Wikipedia

  • Oxidisolationsgraben — oksidinis izoliuojamasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. oxide isolation trench vok. Oxidisolationsgraben, m rus. оксидная изолирующая канавка, f pranc. rainure isolante remplie par oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • oksidinis izoliuojamasis griovelis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. oxide isolation trench vok. Oxidisolationsgraben, m rus. оксидная изолирующая канавка, f pranc. rainure isolante remplie par oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • rainure isolante remplie par oxyde — oksidinis izoliuojamasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. oxide isolation trench vok. Oxidisolationsgraben, m rus. оксидная изолирующая канавка, f pranc. rainure isolante remplie par oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • оксидная изолирующая канавка — oksidinis izoliuojamasis griovelis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. oxide isolation trench vok. Oxidisolationsgraben, m rus. оксидная изолирующая канавка, f pranc. rainure isolante remplie par oxyde, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Chemical-mechanical planarization — Chemical Mechanical Polishing/Planarization is a process of smoothing surfaces with the combination of chemical and mechanical forces. It can be thought of as a hybrid of chemical etching and free abrasive polishing. Contents 1 Description 2… …   Wikipedia

  • Lau Wai Shing — Wai Shing Lau (simplified Chinese name: 刘偉成, born July 29, 1955 in Hong Kong) is also known as Lau Wai Shing. The family name of Lau is sometimes spelled as Liu like Liu Bang (founder of the Han dynasty) or Liu Shaoqi or Liu Bocheng. This is… …   Wikipedia

  • LOCOS — LOCOS, short for LOCal Oxidation of Silicon, is a microfabrication process where silicon dioxide is formed in selected areas on a silicon wafer having the Si SiO2 interface at a lower point than the rest of the silicon surface.This technology was …   Wikipedia

  • Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… …   Deutsch Wikipedia

  • LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… …   Deutsch Wikipedia

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